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廈門大學薩本棟微米納米科學技術研究院
微電子/石墨烯材料及器件加工測試平臺儀器設備共享

平臺簡介

贵州快3走势图图表 www.elrgw.icu 微電子/石墨烯材料及器件加工測試平臺是廈門大學最完備的微納加工和測試平臺,擁有潔凈室面積近1200平方米。各種石墨烯、納米材料加工和測試設備50余套,配有高純供氣系統、18MΩ純水系統及特氣報警裝置,實行24小時全方位監控。

4473微控擴散爐

CVD設備
應用領域: 供4英寸硅片氧化、退火等工藝使用。

技術指標:

最高溫度:1150℃;
恒溫區長度:760mm;
最大可控升溫速度(400℃~ 1150℃):15℃/min;
最大降溫速度(1150℃~ 900℃):5℃/min。

L4514程控擴散爐-2

CVD設備
應用領域: 供2英寸硅片退火及硼擴散等工藝使用。

技術指標:

最高溫度:1150℃;
恒溫區長度:350mm;
最大可控升溫速度(400℃~ 1150℃):15℃/min;
最大降溫速度(1150℃~ 900℃):5℃/min。

ET2000化學氣相沉積

CVD設備
應用領域: 專利技術保證高質量石墨烯生長,成熟工藝程序。

技術指標:

1、全套石英器件,4條獨立控制氣路(氬氣、氫氣、高、低流量甲烷),氣體泄漏探測器。2、獨立三溫區,最高溫度1100℃,恒溫均勻性小于0.5℃。3、不小于98%面積的單層石墨烯。4、100mtorr至500torr真空可控,最低真空50mtorr,單獨常壓尾氣排氣管路。5、襯底大?。?le;50mm×50mm或2英寸。

L4514程控擴散爐-1

CVD設備
應用領域: 供2英寸硅片氧化、退火等工藝使用。

技術指標:

最高溫度:1150℃;
恒溫區長度:350mm;
最大可控升溫速度(400℃~ 1150℃):15℃/min;
最大降溫速度(1150℃~ 900℃):5℃/min。

SI 500D等離子增強化學氣相沉積系統

CVD設備
應用領域: 適用于低溫條件下8寸片、4寸片及不規則片氧化硅、氮化硅、碳化硅膜的沉積。

技術指標:

1、反應腔室本底真空: ≤ 1×10-6mbar。2、反應腔襯底加熱溫度:20~350℃。3、ICP源功率范圍:100~1200W。4、沉積材料:氧化硅、氮化硅、碳化硅。5、厚度均勻性:±5%(8英寸片)。

TFS 200等離子增強原子層沉積系統 

CVD設備
應用領域: 該系統具備熱ALD沉積功能和等離子增強ALD工藝模式,可用于8英寸及以下尺寸的基底氧化鋁、二氧化鉿和氮化鈦等納米薄膜材料的沉積。

技術指標:

1、帶手動基片傳片器。2、熱ALD和PEALD兩種模式。3、熱反應腔最大直徑:200mm,最高加熱溫度:500℃。4、等離子反應腔最大直徑:200mm,最高加熱溫度:450℃。5、樣品尺寸:8英寸及以下。6、沉積材料:氧化鋁、二氧化鉿和氮化鈦等納米薄膜材料。7、厚度均勻性:≤±1.0% (4英寸),或≤±2.0% (8英寸)。

DSC214差示掃描量熱儀

測試設備
應用領域: 比熱測量,選件可選冷卻設備,壓縮空氣、機械、液氮(可以單獨或同時連接多種冷卻裝置,通過軟件切換)。

技術指標:

1、溫度范圍:-170°C-600 /700°C(不同爐體);溫度重復性:± 0.01°C(標準金屬);溫度準確度:0.1°C(標準金屬);升/降溫速率:0.001K/min -500K/min。2、In響應比率:>100 mW/K。3、DSC量程:750 mW。4、熱焓靈敏度:0.1μW。5、熱焓精度:0.05% (標準金屬)。6、氣氛:靜態及動態,惰性、氧化、還原。

SCS-4200 半導體參數分析儀

測試設備
應用領域: 主要用于實驗室級的器件直流參數測試、實時繪圖與分析、具有高精度和亞fA級的分辨率。

技術指標:

1. IV測量   電壓范圍:-20V~+20V
            電流范圍:100fA~0.1A
2.CV測量   電壓范圍:-20V~+20V
            電容范圍:10fF~2nF
            電導范圍:0.1nS~1uS
            測量頻率:100KHz/1MHz
3. 兼容性   其硬件選項包括開關矩陣、Keithley與Agilent C-V儀以及脈沖發生器多種選擇

原子力顯微鏡 

測試設備
應用領域: 納米AFM成像及納米結構的電學、摩擦學等研究。

技術指標:

1、形變噪音:<20pm。2、XY傳感器噪音:<60pm;Z傳感器噪音:<50pm。
使用大范圍掃描(>1μm)的反饋增益設置仍可以在閉環掃描條件下得到清晰的原子晶格結構(<10nm)。

C-THERM TCI導熱系數儀

測試設備
應用領域: 可以實現熱導率和熱擴散系數的快速、非破壞性測試,簡便、精確的進行熱物性的測試,為實驗室研究、工廠質量控制以及生產控制提供了極大的方便。

技術指標:

1、測量技術:采用改進型瞬態平面熱源法,可單面探頭直接測試的無損檢測技術。2、測定范圍:0-500W/mK。3、溫度范圍:-50℃—200℃。4、測量時間:0.8-2.5s。5、測量精度:1%。6、測試樣品范圍:固體、液體、粉末和膠體。7、測量樣品尺寸:樣品無需特殊設備進行制樣,固體最小樣品尺寸只需17mm直徑即可。8、必須配有傳感器和溫度控制箱的專用連接轉換件,保證溫度控制準確。9、配有專用小劑量單位,用于快速準確測量液體,粉末及膠體等。10、配有專用不銹鋼底座,保 證傳感器的長期穩定性。11、配有導熱系數儀傳感器專用存儲?;は?。12、同一主機,可快速升級熱膨脹???。測量材料熱膨脹性能。13、提供至少三種標準樣品供檢測使用。

OLS1200激光共聚焦掃描顯微鏡 

測試設備
應用領域: 各種元器件的結構和圖形的二維表面和三維形貌測量。

技術指標:

1、2D測量,最適合于1.5mm~1μm范圍的測量,不僅是線寬度,也能進行圓的直徑等幾何測量。2、3D測量,最適合于1mm~0.5μm的高度測量,并能提供真實精確的3D效果圖片。體積/容積、表面積等3D測量。3、高分辨率觀察,實時觀察,可以分辨0.15μm的線和點。4、最大觀察范圍是3620×3620μm。

4294A 阻抗分析儀

測試設備
應用領域: 適于絕大多數塊體材料的基本的物理參數的測量,由于其可以測量微小信號,同時適合于測量單根納米材料的基本物理特性,是現代功能材料實驗室必備的基本的測試儀器。另外,在某些情況下,器件的阻抗值比它的L、C、R值更為重要,阻抗隨頻率和其它參數的變化具有首要意義。

技術指標:

1、頻率范圍:40 Hz~110MHz,頻率分辨率:1mHz ,頻率精度 ±20ppm。2、阻抗范圍:25mΩ~40MΩ,基本阻抗精度(四端對):±0.08%。3、直流偏置電平:0~40V,0~±100mA(提供自動電平控制功能),直流偏置電平分辨率:1mV/40μA ,直流偏置電壓精度: ±(0.1%+(5+30*Imon(mA)) mV,直流偏置電流精度: ±(2%+(0.2*Vmon(V)/20) mA。4、測量參數|Z|,R-X,s-Rs,Ls-Q,Cs-D,|Y|-θ,G-B,Lp-Q,Cp-G,Gp-Q,Cp-D,|Z|-Ls,|Z|-Cs,Z|-Cp,|Z|-Cp,|Z|-D,|Z|-Ls,復合參數Z-Y,Lp-Rp,Cp-Rp。

SCG 高低溫真空探針臺

測試設備
應用領域: 能夠實現樣品在低溫真空環境的測試,實現樣品在10-4 PA 真空度,4.2K 到480K 任意溫度點的精確電學測量。

技術指標:

1、六個探針臂接口,可以安裝六個探針臂。2、一個CF40 真空抽氣口,一個快速破真空進氣口。3、載物Chuck 溫度范圍:4K-500K ;CF法蘭接口,系統極限真空優于5*10-6Pa。4、漏率優于:1.3*10-10Pa.M3/s;探針X-Y-Z三方向移動,行程:25.4mm,定位精度:10μm。5、雙屏蔽chuck高低溫時達到100FA 的測試精度。

D41-11B/ZM型微控四探針測試儀

測試設備
應用領域: 1、測量硅單晶的體電阻率。2、測量摻雜半導體,如擴散層及異型外延層電阻。3、測量金屬層電阻。

技術指標:

1、測量范圍:①電阻率ρ:6×10-3 ~5×104Ω•cm;②方塊電阻Rs/□:10-1~9×105Ω/□;③電阻R:3×10-2~2×105Ω。2、精度:±5%。3、樣片臺直徑:180mm。

LFA467激光導熱儀

測試設備
應用領域: 可測量除絕熱材料以外的絕大部分材料,特別適合于中高導熱系數材料的測量。除常規的固體片狀材料測試外,通過使用合適的夾具或樣品容器并選用合適的熱學計算模型,還可測量諸如液體、粉末、纖維、薄膜、熔融金屬、基體上的涂層、多層復合材料、各向異性材料等特殊樣品的熱傳導性能。

技術指標:

1、溫度范圍:-100℃—500℃。2、采樣速率:2MHZ。3、兩種檢測器:銻化銦(InSb):室溫-500℃;碲鎘汞(MCT):-100℃-500℃。4、氣氛:可選擇三聯的固定流量開關和三路質量流量控制器(一路?;て?,兩路吹掃氣)。

Nicolet is10傅立葉紅外光譜儀

測試設備
應用領域: 確認材料;識別未知物及混合物樣品;辨認混合物成分。

技術指標:

光譜范圍:7800~350 cm-1(標準);分辯率:0.4cm-1;峰-峰噪聲:<1.3X10-5Abs;ASTM 線性度:<±0.1%T;波數精度:0.01cm-1。

IDSpec ARCTIC顯微共焦拉曼光譜儀 

測試設備
應用領域: 主要用于物質的結構測定、成分分析和物理化學性質的測定。

技術指標:

1、光譜靈敏度:Si的三階峰信噪比好于15:1,能檢測到Si的四階峰。2、光譜重復性:≤ +/-0.2cm-1。3、光譜分辨率:≤1.5cm-1。

SUPRA 55 場發射掃描電子顯微鏡

測試設備
應用領域: 適用于各種樣品的微觀形貌觀察和分析,結合EDS能譜儀可進行樣品微區成分定性和定量以及元素分布分析。

技術指標:

1、分辨率:[email protected],[email protected],[email protected](VP mode)。2、放大倍數:12~1,000,000×。3、加速電壓:0.02 ~30kV。4、探針電流:4pA~20nA(12pA~100nA可?。?。5、樣品室:Φ330mm×270mm。6、樣品臺:五軸優中心全自動型,X = 130mm,Y = 130mm,Z = 50mm,T=-3to70°,R=360°連續旋轉。7、系統控制:基于Windows的SmartSEM操作系統,可選鼠標、鍵盤、控制面板控制。

ZNB8 矢量網絡分析儀

測試設備
應用領域: 可以分析各種微波器件和組件。它具有頻域和時域兩類測試功能,可以很好地完成諸如濾波器、放大器、混頻器以及系統中有源和無源微波組合等的各種參數的調試、測試??賞輩飭勘徊饌緄姆刃畔⒑拖轡恍畔?。接收機采用調諧接收,具有選頻特性,能夠有效抑制干擾和雜散,動態范圍大。

技術指標:

1、網絡分析:頻率范圍:9kHz~6GHz;測量時間(201個測量點,已校準的雙端口):<75 100=""s="">115dB,典型值為123dB;輸出功率:>0dBm,典型值為 +10dBm;測量帶寬:10Hz~500kHz(1/2/5步。2、頻譜分析:頻率范圍:9kHz~6GHz;頻率誤差:1×10-6;帶有R&S SL-B4選項:1×10-7。3、分辨率帶寬:標準300Hz~10MHz(1/3 步),零檔時為20MHz;帶有R&S SL-B7選項:1Hz~10MHz(1/3步);視頻帶寬:10Hz~MHz;I/Q解調帶寬:20MHz;500 MHz時的典型相位噪聲:-100dBc(1Hz),10 kHz載波偏置;顯示的平均噪聲級別:1GHz時,不帶前置放大器時<–140dBm(1Hz)。1GHz時,帶前置放大器時<-156 1=""dbm="" -163="">+5 dBm,典型值+12dBm;檢測器:正/負峰值、自動峰值、RMS、準峰值、平均值、取樣;電平測量誤差(95%置信電平):<0.5dB。

XRD-7000 X射線衍射儀

測試設備
應用領域: 能精確地對石墨烯、粉末及體狀材料樣品的物相進行定性定量分析。

技術指標:

X射線發生器最大輸出:3KW;電壓穩定度:0.0001%;測角儀:θ/θ測角儀;最小步進角度:0.0001°。

8562EC 頻譜分析儀

測試設備
應用領域: 主要適用于觀察和測量信號幅度和信號失真,其顯示結果可以直觀反映輸入信號的傅里葉變換的幅度。傅里葉變化將時域信號作為正弦和余弦的集合映射到頻域內。信號頻譜分析的測量范圍及其寬廣,超過了140dB。這些能力是頻譜分析成為特別適于現代通信領域的多用途儀器。頻譜分析實質上是考察給定信號源、天線或信號分配系統的幅度與頻率的關系。這種分析能給出有關信號的重要信息,如穩定度、失真、幅度以及調制的類型和質量。利用這種信息,可以進行電路或系統調節,以提高效率或驗證在所需要的信號發射和不需要的信號發射方面是否符合不斷涌現的各種規章條例。

技術指標:

1、頻率范圍:內混頻:30Hz~13.2GHz,外混頻:18GHz~325GHz,頻段:5.86GHz~13.2GHz。2、分辨率帶寬范圍:1Hz~2Mz。3、顯示平均噪聲電平:30Hz:≤90dBm,1KHz:≤105dBm,10KHz:≤120dBm,100KHz:≤120dBm,1MHz~10 MHz:≤140dBm,10MHz~2.9 GHz:≤151dBm,2.9GHz~6.46GHz:≤148dBm,6.46GHz~13.2GHz:≤145dBm。3、最大動態范圍二階/三階:95dB/108dB。4、幅度進度(±):2.1dB。5、最大安全輸入電平:平均連續功率:±30dBm,峰值脈沖功率:±50dBm。6、最大直流輸入電壓:直流耦合:±0.2Vdc,交流耦合:±50Vdc。

JC500-3D 磁控濺射機

鍍膜設備
應用領域: 主要用沉積金屬膜和非金屬膜。

技術指標:

極限真空8×10-4Pa;兩個直徑為100mm的磁控靶;一套直流靶電源,功率為1KW;一套13.56MHZ的射頻電源,功率為1KW;樣品尺寸:≤4英寸。

JS3X-100B 濺射臺

鍍膜設備
應用領域: 主要用于沉積金屬膜。

技術指標:

1.極限真空8.0×10-4Pa。2.三個直徑為100mm的磁控靶,靶基距為8cm不可調。3.一套直流靶電源,功率為2KW。一套13.56MHZ的射頻電源,功率為1.5KW。4.工件轉盤轉速0-20轉/分可調。5.適合4英寸及以下各種規格基片。

Explorer-14 磁控濺射鍍膜系統

鍍膜設備
應用領域: 主要用于加工沉積高質量、厚度精確控制的金屬薄膜和介質薄膜。

技術指標:

1、3支3英寸磁控濺射靶。2、基片加熱器采用高溫加熱材料,最高溫度可達到600℃。3、真空性能:A. 極限真空(Ultimate Pressure):1E-7Torr;B. 真空抽速:30分鐘從大氣壓抽到5E-6Torr;C.真空室漏率:5E-5Torr.L/s。4、鍍膜均勻性和重復性:在4英寸襯底厚度均勻性優于±5%,重復性優于±3%。5、樣品尺寸:≤6英寸。

LCF150QC激光劃片機

封裝設備
應用領域: 該激光劃片機用于硅片、對2mm以內的不銹鋼、鋁,1mm以內的藍寶石、陶瓷等切割工藝。

技術指標:

激光功率:≥150W;功率穩定性:≤3%;激光束品質:M2≤1.2;聚焦光斑直徑:≥30μm;行程:400x400mm;最大移動速度:800 ㎜/s。

FD-150橫向減薄機

封裝設備
應用領域: 用于兼容4寸、6寸硅片等樣片的自動減薄, 磨削阻力小、磨削均勻。

技術指標:

用于兼容4寸、6寸硅片等樣片的自動減薄,樣片由真空吸附與磨輪作相反方向旋轉運動,磨輪前后擺動。該方法磨削阻力小、磨削均勻、生產效率高,控制精度1μm,重復定位精度3μm,工件進給速率(可調): 1μm -5mm/min;同時橫向減薄機設備可自動對刀、實際檢測磨削扭力、自動調節樣片磨削速度,從而防止樣片磨削過程中因應力過大產生變形及破損,并可自動補償砂輪磨損厚度尺寸。

POLI_400M 化學機械拋光機

封裝設備
應用領域: CMP加工表面的粗糙度最小,且不會產生次表面損傷層。目前已經成功開發聚合物,Si、SiC、Ge、GaN等半導體材料,SiO2、Si3N4、PSG、GeO、Al2O3等介質層以及Al普通金屬和Au、Pt等惰性金屬的化學機械拋光工藝。

技術指標:

1、采用去離子水粘貼硅片或采用真空吸附硅片進行拋光,摒棄傳統的涂蠟粘貼硅片的方式,有利于拋光后硅片的清洗。2、具備背壓功能,能夠顯著提升拋光的均勻性。3、具備拋光終點檢測系統,防止過拋。
    以SiO2 為例,WIWNU(片內不均勻性)≤3%,WTWNU(片內不均勻性)≤5%,RMS(20μm×20μm)小于0.4nm。

HW1601型自動砂輪劃片機

封裝設備
應用領域: 該設備可用于硅片、石英、玻璃、陶瓷片等材料的切割加工。

技術指標:

1、劃切規格:≤6寸;2、劃切分辨率:1微米;3、劃切寬度:玻璃<300微米,硅片<80微米;最大劃切深度:≤700微米;

Q150 等離子體去膠機 

光刻&鍵合設備
應用領域: 可以基片表面活化,可去除不同厚度的光刻膠。

技術指標:

主腔室材料:石英;主腔室容積:6升;主腔室尺寸:直徑150mm,深度260mm;工藝壓力:1-100Pa;樣品大小≤4英寸。

OAI光刻機

光刻&鍵合設備
應用領域: 單面對準曝光。

技術指標:

掩模版適用尺寸:五英寸;基片尺寸:4英寸及以下不規則形狀基片;汞燈功率:350W;分辨率:2μm。

MA6光刻機

光刻&鍵合設備
應用領域: 將芯片制作所需要的線路與功能區圖形從掩膜板復制到樣品上。光刻機發出的光通過具有圖形的掩膜版對涂有光刻膠的樣片曝光,利用感光后的光刻膠在溶液中的溶解速度不同實現圖形的復制。

技術指標:

1、寬帶光源365,紫外接近,接觸式光刻,可實現雙面對準。2、最大曝光面積φ100mm。分辨率:1μm。套刻精度:±1μm。2、樣品大?。?le;4英寸,厚度小于3mm。3、光刻板尺寸:4寸樣片5寸版,3寸以下樣片4寸或5寸版。

AWB04芯片鍵合機

光刻&鍵合設備
應用領域: 該芯片鍵合機可實現陽極鍵合、硅硅直接鍵合、融熔鍵合、熱壓鍵合等多種圓片級鍵合形式。

技術指標:

最高溫度:500 ℃;最大電壓:2.5 KV;最大壓力:2 KN;真空度:1×10-4mbar。

SI500 電感耦合等離子刻蝕機

刻蝕設備
應用領域: 特別適用于刻蝕在半導體(例如硅)襯底上的微納結構和介質膜。

技術指標:

1、本底真空:<1x10-6mbar(7.6x10-4mTorr)。2、6路氣體:六氟化硫、三氟甲烷、氬氣、氧氣、氮氣(吹掃用)、氦氣(背冷卻用)。3、樣品通過預真空室裝載,碎片需使用載片器(托盤)。取-放系統保證了襯底操作的潔凈與安全。預真空室有可編程的吹掃循環工藝、確保操作者安全和腔室潔凈。4、一個射頻發生器(13.56 MHz, 600 W)用于下電極偏置,另一個用于驅動ICP源(13.56 MHz, 1200 W)。5、樣品尺寸:≤9英寸。

Alcatel深硅刻蝕系統

刻蝕設備
應用領域: 硅深槽刻蝕。

技術指標:

適用于4英寸及以下尺寸的硅片刻蝕;使用氣體有:SF6,C4F8,O2;掩膜材料可以是光刻膠和氧化硅;刻蝕深寬比20:1以內;同時兼有常溫BOSCH工藝和低溫CRYO工藝。

標準清洗(酸堿化學清洗臺)

清洗腐蝕設備
應用領域: RCA清洗,玻璃片標準清洗、各類一般清洗腐蝕。

技術指標:

PP 板機殼,優質不銹鋼骨架,外包3mm PP 板防腐;快排沖洗槽;用于RCA 的石英槽;設備排風系統,設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;四路給排水/廢液系統,電器控制系統,優質PLC 可編程控制器控制全操作過程,既可全自動操作,也可手動操作。

其他腐蝕(酸堿化學清洗臺)

清洗腐蝕設備
應用領域: RCA清洗,玻璃片標準清洗、各類一般清洗腐蝕。

技術指標:

PP 板機殼,優質不銹鋼骨架,外包3mm PP 板防腐;快排沖洗槽;用于RCA 的石英槽;設備排風系統,設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;四路給排水/廢液系統,電器控制系統,優質PLC 可編程控制器控制全操作過程,既可全自動操作,也可手動操作。

硅各項異性腐蝕

清洗腐蝕設備
應用領域: 硅各向異性腐蝕,各類一般清洗腐蝕。

技術指標:

PP 板機殼,優質不銹鋼骨架,外包3mm PP 板防腐;快排沖洗槽;具備浸泡、腐蝕、循環、過濾、超聲一體化清洗功能;配有不銹鋼316材質腐蝕槽,防止槽體間交叉污染;設備排風系統,設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;排廢液系統分為三路,一路排廢水,兩路排化學藥液;電器控制系統,優質PLC 可編程控制器控制全操作過程,既可全自動操作,也可手動操作。

一般清洗(有機化學清洗臺)

清洗腐蝕設備
應用領域: 硅各向異性腐蝕,各類一般清洗腐蝕。

技術指標:

PP 板機殼,優質不銹鋼骨架,外包3mm PP 板防腐;快排沖洗槽;具備浸泡、腐蝕、循環、過濾、超聲一體化清洗功能;配有不銹鋼316材質腐蝕槽,防止槽體間交叉污染;設備排風系統,設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;排廢液系統分為三路,一路排廢水,兩路排化學藥液;電器控制系統,優質PLC 可編程控制器控制全操作過程,既可全自動操作,也可手動操作。

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